TDK片式高頻電容C3216C0G2E223JT000N是一款高性能陶瓷電容器，其尺寸為標(biāo)準(zhǔn)的1206封裝，適合緊湊型電路布局。該電容器采用C0G介質(zhì)材料，在-55℃至+125℃的寬溫范圍內(nèi)表現(xiàn)出卓越的溫度穩(wěn)定性。其標(biāo)稱容量為22nF（22NF），額定電壓高達(dá)250V，容量誤差范圍為±5%，確保在各種復(fù)雜環(huán)境中提供卓越性能。

這款電容器以其出色的高頻特性和穩(wěn)定性而聞名，特別適用于高頻信號(hào)處理、濾波和噪聲抑制等關(guān)鍵場(chǎng)景。C0G介質(zhì)材料賦予了它極低的溫度系數(shù)和優(yōu)異的頻率特性，使其能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的電容值和低損耗性能。這使得C3216C0G2E223JT000N成為通信設(shè)備、射頻模塊以及其他高頻應(yīng)用的理想選擇。

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