LP35118V氮化鎵快充用同步整流芯片，深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)，原裝現(xiàn)貨

LP35118V應(yīng)用：充電器和適配器的同步整流，正激控制器和反激控制器。

LP35118V特點：
隔離型的同步整流控制應(yīng)用;
適用正激和反激系統(tǒng) ;
兼容 DCM 和 CCM 多種工作模式；
控制芯片 200V 高耐壓；
驅(qū)動低閾值 NMOS；
磚利的整流管開通技術(shù)；
很快的關(guān)斷速度;
可調(diào)的同步 MOS 關(guān)斷閾值;
集成 VCC 供電技術(shù);
芯片供電欠壓保護;
芯片過壓鉗位;
芯片啟動前驅(qū)動腳防誤導(dǎo)通;
外圍元器件少;
符合 ROHS,HF&REACH 要求.

LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控制芯片，適用于 AC-DC 的同步整流應(yīng)用，適用于 正激系統(tǒng)和反激系統(tǒng)。LP35118V支持DCM和CCM 多種工作模式。LP35118V 采用磚利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。 LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片 VCC 不會欠壓。 LP35118V 采用 SOT23-6L 封裝。

售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)上支持。
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應(yīng)用信息 LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流 芯片，適用于隔離型的同步整流應(yīng)用，適用于正激 和反激系統(tǒng)，支持 DCM 和 CCM 多種工作模式。 LP35118V 采用磚利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。 LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片 VCC 不會欠壓


啟動當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置 MOS 的體二極管對輸出 電容充電，輸出電壓上升。LP35118V 通過 D 腳連 接輸出電壓，當(dāng)輸出電壓上升時，經(jīng)過芯片內(nèi)部 供電電路，給 VCC 電容充電，當(dāng) VCC 的電壓充 到開啟閾值電壓時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作， MOS 正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS 正常的導(dǎo)通時，電 流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過 D 腳，給 VCC 供電

同步整流管導(dǎo)通
DCM 工作時，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級芯片 關(guān)斷時，會產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號， 導(dǎo)致同步整流管的異常開啟， LP35118V 采用專 利的整流管開通技術(shù)。 當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，次級 LP35118V 的漏極 D 與 GND 之間的電壓迅速下降。 LP35118V 通過檢測 D 和 GND 之間的下降電壓閾值和下降速率，能準 確的判斷同步整流管的開啟。 開通條件： 當(dāng)滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns& VDS

LP35118V氮化鎵快充用同步整流芯片供應(yīng)