小型臺(tái)式磁控濺射鍍膜機(jī) 設(shè)備用途： 用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。 設(shè)備組成 系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（3個(gè)靶）、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。 技術(shù)指標(biāo)： 1. 極限真空度6.7×10-5Pa； 分子泵滿速1小時(shí)后真空度達(dá)到4×10-4Pa； 2. 超高真空磁控靶：有效尺寸3英寸，數(shù)量：3支，永磁靶（自帶側(cè)開(kāi)擋板），水冷； 3. 靶基距120-200mm可調(diào)，用光軸加直線軸承導(dǎo)向，可手動(dòng)連續(xù)調(diào)節(jié)，有刻度指示；三靶共濺射，靶可擺角度，角度為0～45℃； 4. 樣品加熱：采用碘鎢燈加熱方式對(duì)樣品進(jìn)行加熱，樣品可加熱400℃； 5. 磁控濺射樣品有效尺寸：Φ60mm，一次只鍍1片；鍍膜時(shí)樣品架實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)，自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為0～50轉(zhuǎn)/分；樣品加負(fù)偏壓0-200V可調(diào)； 6. 氣體控制：氣體流量通過(guò)兩路質(zhì)量流量控制器控制，流量范圍為：0～50 sccm； 7. 系統(tǒng)帶有手動(dòng)控制功能，主要實(shí)現(xiàn)樣品的加熱控制；樣品的旋轉(zhuǎn)控制；磁控靶檔板的控制；真空度的采集。